Найти - Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 2133 МГц SODIMM M471A1K43BB0-CPB
Тип памяти DDR4
Форм-фактор SODIMM 260-контактный
Тактовая частота 2133 МГц
Пропускная способность 17000 Мб/с
Объем 1 модуль 8 Гб
Поддержка ECC нет
Буферизованная (Registered) нет
Низкопрофильная (Low Profile) нет
CAS Latency (CL) 15
RAS to CAS Delay (tRCD) 15
Row Precharge Delay (tRP) 15
Количество чипов каждого модуля 16, двусторонняя упаковка
Напряжение питания 1.2 В
Количество ранков 2
ID 498682045
Тип памяти DDR4
Форм-фактор SODIMM 260-контактный
Тактовая частота 2133 МГц
Пропускная способность 17000 Мб/с
Объем 1 модуль 8 Гб
Поддержка ECC нет
Буферизованная (Registered) нет
Низкопрофильная (Low Profile) нет
CAS Latency (CL) 15
RAS to CAS Delay (tRCD) 15
Row Precharge Delay (tRP) 15
Количество чипов каждого модуля 16, двусторонняя упаковка
Напряжение питания 1.2 В
Количество ранков 2
ID 498682045
Бренд:
Samsung
Категория:
Комплектующие/Оперативная память
Отзывы не найдены