Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL22 M471A1K43EB1-CWED0 811707320

[Модуль памяти] Samsung DDR4 8Gb 3200MHz M471A1K43EB1-CWE OEM PC4-25600 CL19 SO-DIMM 260-pin 1.2В original single rank

Samsung DDR4 8Gb 3200MHz M471A1K43EB1-CWE OEM PC4-25600 CL19 SO-DIMM 260-pin 1.2В original single rank

CAS Latency (CL)

22

масса(кг)

0.06

GTD Number

10005030/210623/3165212/1

GTIN

00000000000000

Cтрана-производитель

Корея, республика

Партномер

M471A1K43EB1-CWE

RAS to CAS Delay (tRCD)

22

Row Precharge Delay (tRP)

22

высота(см)

1

гарантия

1 год

длина(см)

15

Количество контактов

260

Количество модулей в комплекте (шт)

1

Количество чипов на модуле

8

Компоновка чипов на модуле

Двусторонняя

Линейка

-

масса(кг)

0.06

Модель

M471A1K43EB1-CWE

Напряжение (В)

1.2

Низкопрофильная

Нет

Общий объем памяти (ГБ)

8

Объем одного модуля (ГБ)

8

Описание

Память M471A1K43EB1-CWE от Samsung

Поддержка ECC

Нет

Поддержка Reg

Нет

Поддержка водяного охлаждения

Нет

Подсветка

Нет

Производитель

Samsung

Пропускная способность (МБ/с)

25600

Радиатор

Нет

Тайминги

22-22-22

Тип модуля

SO-DIMM

Тип оборудования

Оперативная память

Цвет

Зеленый

Частота (MHz)

DDR4 - 3200

Чип

1Gb x 8-bit

ширина(см)

4

. adpar_property_list {<100%;
margin:0px 0px 0px;
color:#555;
}
. adpar_property_list td {< bottom;
.